半导体行业深度研究：第三代半导体新能源汽车+AIOT+5G撬动蓝海市场碳中和引领发展热潮-20211026

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报告摘要

GaN 作为第三代半导体具有宽带隙(3.4 eV)、击穿场强大(3.3 MW / cm)、电子饱和漂移速度高(2.7 * 107 cm / s)等物理结构优势。在以往的半导体材料中，Si 是目前集成电.