半导体行业IGBT：乘新能源汽车之风国产替代扬帆起航
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2026-03-282021页消费经济
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报告摘要
SiC MOSFET 具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiC MOSFET 与 Si MOSFET 相似。但是，SiC 是一种宽带隙(WBG)材料，其特性允许这些器件在与 IGBT相同的高功.
DJ
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半导体行业IGBT：乘新能源汽车之风国产替代扬帆起航
行业研究2021 页2026-03-28
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