碳化硅行业专题：第三代半导体明日之星“上车+追光”跑出发展加速度-230506（20页）

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报告摘要

化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现功率模块小型化、轻量化。主要应用于新能源汽车/充电桩、光伏发电、智能电网、轨道交通、航空航天等领域。凭借性能优势碳化硅功率器件有望迎来快速发展。2021年全球第三代功率半导体市场渗透率约为4.6%-7.3%，较20年渗透率提升约2%。根据Yole数据，2021年全球碳化硅功率器件市场规模约为10.90亿美元，2027年全球导电型碳化硅功率器件市场空间有望突破至62.97亿美元，六年年均复合增速约为34%。碳化硅器件“上车”加快，800V高压平台蓄势待发。功率器件主要应用于新能源车的主驱逆变器、车载充电机、DC/DC转换器和非车载充电桩等关键电驱电控部件。尽管SiCMOSFET价格相比于SiIGBT价格仍然较高，但碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备明显优势。新能源汽车已成为碳化硅功率器件最主要的市场。在目前各大主流车厂积极布局800V电压平台的背景下，碳化硅的性价比突出，市场前景广阔。