【研报】汽车行业：智能汽车时代功率半导体的发展新机遇-210603（38页）
行业研究
科技传媒
2024-08-2738页新用户首篇研报专享优惠价
VIP会员可免费获取全部研报，开通VIP
报告摘要
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要求严苛(为了实现大功率化)。具体来说，背面工艺是在基于已完成正面Device和金.
DJ
大吉研报
专业研究报告平台
·科技传媒
【研报】汽车行业：智能汽车时代功率半导体的发展新机遇-210603（38页）
行业研究38 页2024-08-27
www.djyanbao.cc
购买后查看完整研报
浏览 2下载 0