【研报】汽车行业：智能汽车时代功率半导体的发展新机遇-210603（38页）
行业研究
科技传媒
标注日期 2021-06-0338页按需获取完整报告
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报告摘要
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要求严苛(为了实现大功率化)。具体来说，背面工艺是在基于已完成正面Device和金.
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【研报】汽车行业：智能汽车时代功率半导体的发展新机遇-210603（38页）
行业研究38 页标注日期 2021-06-03
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