半导体行业系列专题（二）之碳化硅：衬底产能持续扩充关注渗透加速下的国产化机会-240110（40页）

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报告摘要

1半导体行业系列专题半导体行业系列专题（二二）之之碳化硅：碳化硅：衬底产能持续扩充，关注渗透加速下衬底产能持续扩充，关注渗透加速下的国产化机会的国产化机会证券研究报告分析师：付强S1060520070001（证券投资咨询）徐勇S1060519090004（证券投资咨询）邮箱：FUQIANGXUYONG平安证券研究所平安证券研究所TMTTMT团队团队20242024年年11月月1010日日请务必阅读正文后免责条款请务必阅读正文后免责条款电子行业电子行业强于大市强于大市2投资逻辑图投资逻辑图碳碳化化硅硅材料性能突出，材料性能突出，器件优势明显器件优势明显降本提效增益明降本提效增益明显，下游持续景显，下游持续景气带动需求提升气带动需求提升当前硅基半导体逼近物理极限器件光伏自主可控需求强烈2026年全球SiC器件市场规模将达7171亿美元材料相较Si禁带宽度热导率击穿电压电子饱和漂移速率X3倍倍X5倍倍X10倍倍X3倍倍相较Si器件总能量损耗低80%器件尺寸缩小90%开关频率和工作温度均大幅提升当前国内外技术代差约为55-88年，具备实现国产替代机遇第三代半导体为关键技术，利好政策持续推出助力...