金属新材料行业专题报告：碳化硅第三代半导体之星-230414（23页）

新用户首篇研报专享优惠价

报告摘要

行业专题|金属新材料1/23请务必阅读正文之后的免责条款部分金属新材料报告日期：2023年04月14日碳化硅：第三代半导体之星碳化硅：第三代半导体之星行业行业专题专题报告报告投资要点投资要点耐高温高压高频，碳化硅电气性能优异耐高温高压高频，碳化硅电气性能优异碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。工艺难度大幅增加，长晶环节是瓶颈工艺难度大幅增加，长晶环节是瓶颈碳化硅制造工艺具有高技术壁垒高技术壁垒，衬底长晶存在条件控制严、长晶速度慢、晶型要求高三大技术难点，而加工难度大带来的低产品良率导致碳化硅成本高；外延的厚度和掺杂浓度为影响最终器件的关键参数。