第三代半导体行业深度报告：竞争格局及市场展望、产业链及相关公司深度梳理-221114（18页）

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报告摘要

1/182022年年11月月14日日行业行业|深度深度|研究报告研究报告行业研究报告慧博智能投研第三代半导体行业深度：竞争格局及市场展第三代半导体行业深度：竞争格局及市场展望、产业链及望、产业链及相关相关公司深度梳理公司深度梳理第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，主要应用于高压、高温、高频场第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，主要应用于高压、高温、高频场景。景。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。因此相较于传统硅基器件，采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅体积小重量轻，同时还具备更高的功率输出密度、更高的能量转换效率，可以显著提升系统装置的性能。其中，碳化硅器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势，可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。氮化镓器件具备高开关频率、耐高温、低损耗等优势，可用于制作功率、射频、光电器件，广泛应用于消费电子、新能源车、国防、通信消费电子、新能源车、国防、通信等领域。