半导体行业深度研究：第三代半导体新能源汽车+AIOT+5G撬动蓝海市场碳中和引领发展热潮-20211026（79页）
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报告摘要
GaN作为第三代半导体具有宽带隙(3.4eV)、击穿场强大(3.3MW/cm)、电子饱和漂移速度高(2.7*107cm/s)等物理结构优势。在以往的半导体材料中，Si是目前集成电.
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半导体行业深度研究：第三代半导体新能源汽车+AIOT+5G撬动蓝海市场碳中和引领发展热潮-20211026（79页）
行业研究79 页2024-08-28
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