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2021年半导体行业GaN产业链分析报告(38页)

行业研究
科技传媒
2024-08-2838

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报告摘要

GaN材料在射频产品的渗透率将逐步提升射频器件材料主要有三种:GaAs,基于Si的LDMOS以及GaN。GaAs器件的缺点是器件功率较低,低于50W;LDMOS器件的缺点是工作频率存在极限,最高.

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2021年半导体行业GaN产业链分析报告(38页)

行业研究382024-08-28
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