【研报】半导体行业：砷化镓本土闭环碳化硅等待“奇点时刻”-210228（23页）
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科技传媒
标注日期 2021-02-2823页按需获取完整报告
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报告摘要
GaN在5G宏基站射频PA的大发展相较于Si和GaAs的前两代半导体材料，GaN和SiC同属于宽禁带半导体材料，具有击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小等特点.
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【研报】半导体行业：砷化镓本土闭环碳化硅等待“奇点时刻”-210228（23页）
行业研究23 页标注日期 2021-02-28
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