【研报】电子行业专题报告：第三代半导体之GaN研究框架-2020201206（53页）

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标注日期 2020-12-0653页

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报告摘要

第三代半导体之GaN研究框架与题报告证券研究报告电子行业20年12月6日总结射频器件斱面，GaN受到5G推动。GaN射频器件衬底主要采用SiC衬底。Cree拥有最强的实力，在射频应用.

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